报告人：孙健
主持人：祁祥
时间：2019年9月4日（星期三） 上午11:00-12:00
地点：物理楼113室

摘要：随着摩尔定律达到物理极限，传统硅CMOS晶体管由于短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，正面临发展瓶颈。二维材料由于其原子层级厚度使得栅极对其沟道的调控大大加强，因而可以有效克服短沟道效应。其次以石墨烯为代表的二维材料具有光电、机械性能、超高体表比等优异性能，可以用来构筑新型的传感器、微纳机电等“超越CMOS”的复合功能电子器件。本次报告我将介绍我们在近期在低维材料纳米电子信息功能器件中的相关研究进展：二维材料表面可控掺杂以及其器件构筑研究；低维材料中拓扑输运机制探索研究；基于二维材料的功能器件开发。

孙健教授于2008年毕业于上海交通大学机械电子专业。2013年毕业于沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST），作为首届毕业生取得电子工程物理电子方向的博士学位。之后在日本国立北陆先端科技大学，日本国立理化学研究所从事研究工作。2018年回国加入中南大学中南大学物理与电子学院任特聘教授，入选湖南省“百人计划”青年项目，湖湘高层次人才汇聚工程。长期以来一直专注于微纳米物理电子学的研究工作。研究涉及微纳加工技术、微纳机电系统、器件物理等。通过探索电子材料及结构中的新颖物理现象入手，结合开发微纳制程、新材料生长、及系统集成等技术问题，开发低能耗、高性能的微纳电子原型器件。主持有国家自然科学基金、日本国家基金等基金项目。在Science Advances，Nano Letters，APL，ACS Nano等知名期刊以通讯作者发布有近20多篇学术论文。在IEEE sensors、Intermag等国际知名会议担任学术委员会成员职务。